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    raybet雷电竞首页微控制器类芯片数模混合芯片OB6625

    OB6625

    概述

    OB6625是一款高集成、高性能、低成本的3相直流无刷电机（BLDC）或永磁同步电机(PMSM)控制芯片，只需要少量的外围器件即可搭建完整的磁场定向控制（FOC）电路。集成了32bit ARM Cortex-M0 MCU，3P+3N全桥驱动器，高精度5V稳压电源。

    OB6625提供完整芯片保护和外部电机驱动电流保护，包括芯片工作电源欠压保护、过压保护，过温保护，桥臂防直通保护；驱动电路内置死区；电机驱动过流保护等。内置MCU工作主频可以达到72Mhz，提供32kB FLASH和4kB SRAM，集成了坐标旋转数字计算机（Cordic）和乘法除法单元（MDU），专为电机控制优化了脉宽调制（PWM），运算放大器（Amplifier），模拟比较器（Comparator），模拟数字采样器（ADC），和不同模块间联动，易于开发高性能算法。

    OB6625应用于低成本，高性能，高效率BLDC/PMSM驱动电路，通过使用少量外围组件即可轻松构建具有电流环路和速度环路控制电路。兼具灵活性和低成本要求。

    OB6625提供TSSOP20/TSSOP24/QFN28封装，有利于PCB小型化设计。



    应用

    ·5V至28V直流输入，通用BLDC/PMSM控制器，包括扇类/泵类/按摩器/运动机构等。


    特性

    三相P+N MOSFET驱动器

    ·高压侧P-MOSFET驱动耐压40V

    ·高压侧P -MOSFET驱动电压11V,驱动电流0.3/0.22A

    ·低压侧N-MOSFET驱动电压-11V,驱动电流0.43/0.6A

    ·低压侧驱动器电源欠压保护(UVLO)、过压保护(OVP)

    ·内置死区

    ·内置防桥臂直通逻辑

    LDO

    ·输入电压最大35V

    ·输出电压精度5V±2%,最大输出电流100mA

    ·内置短路保护和过温保护

    ARM Cortex-M0内核

    ·工作主频72MHz，内置嵌套向量中断控制器（NVIC）

    ·宽工作电压范围：1.8V至5.5V

    ·片上闪存编程存储器32KB

    ·4KB SRAM

    ·1组32bit定时器/计数器；2组16bit定时器/计数器

    ·6通道16bit PWM

    ·5通道12bit ADC

    ·3组8MHz，10V/us运算放大器

    ·3组通用比较器

    ·串行在线调试(SWD)

    ·坐标旋转数字计算机（Cordic）

    ·乘除法单元（MDU）

    典型应用图

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