OB5511

描述

OB5511是一集成高压工艺与与数模混合技术的主控芯片。OB5511具备快速的单周期8051内核,8KB闪存,512B SRAM,能执行所有ASM51兼容指令,MCS-51相同的指令设置。片内集成有DC RegulatorADCMOSFET,过零检测线路等模拟模块,可直接驱动5个继电器或可控硅,芯片能操作在系统电源12V以下。

特征

l指令设置兼容MCS-51

l8K字节的片上闪存程序存储器

l512字节的标准的8052 RAM

l16-bit数据指针(DPTR0&DPTR1)

l316-bit的定时器/计数器(计时器0,1,2, 3

l最多7GPIO

l外部中断源: INTx 1

lI2C x 1

lUART x 1

l可编程的看门狗定时器(WDT

l212位模拟数字转换(ADC

l片上闪存存储器支持ICPEEPROM功能

l低电压中断LVI/低电压复位LVR

l电源管理单元空闲及掉电模式

l支持在线仿真(OCD)功能

l高速1T架构,最高可达16MHz

n高压模拟单元集成5V LDO

n输入电压: 6V~12V

n输出电压: 5V±2%@25°C.±4%@ -40°C~85°C

n最大输出电流: 200mA

n集成5开漏端口, 80mA灌电流能力

n集成一个运放(OPA)

n集成1路过零检测(ZD)

l封装型态:16-SOP



系统应用图

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