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    raybet雷电竞首页电源类芯片DC/DC芯片OB21085

    OB21085

    概述

    OB21085是一款高效率的降压型DC-DC转换芯片。芯片采用自调节COT架构，在宽范围输入电压下，CCM工作频率基本不变。负载变化时，通过变频实现良好的动态响应。芯片内置模拟纹波电路，无需外部补偿网络，可在宽负载范围内提供稳定的输出。

    芯片集成了高压开关，具有过流保护、过温保护，避免芯片在超负荷负载或者温度过高时受到损坏。提供了输入电压欠压保护，输出电压短路保护，保证各种电压情况下芯片安全。


    特性

    Ÿ100V最高工作电压

    Ÿ±2%的反馈电压精度

    Ÿ输入欠压保护

    Ÿ输出短路保护

    Ÿ过温保护

    Ÿ过流保护

    Ÿ输出电流能力通过外置电阻可调

    Ÿ使能端控制

    应用

    ·电动自行车

    ·平衡车

    ·通用DC-DC


    典型应用图


    基本信息


    订购信息

    型号

    描述

    OB21085ZCPP-T

    ESOP8, Halogen-free in Tube

    OB21085ZCPPA-T

    ESOP8, Halogen-free in T&R

    额定封装散热

    封装

    RqJA (℃/W)

    ESOP8

    80


    极限参数

    参数

    符号

    参数范围

    单位

    输入工作电压范围

    VIN

    +100

    V

    开关端电压范围

    VSW

    -0.3~VIN+0.3

    V

    自举端电压范围

    VBS

    VSW+12

    V

    反馈端电压

    VFB

    -0.3~+6

    V

    使能端电压

    VEN

    -0.3~+6

    V

    最高工作结温

    TJ

    150

    ℃

    贮存温度范围

    TSTG

    -55～+150

    ℃

    备注:芯片的实际应用条件超出规定的“应用极限值”将会对芯片造成永久性损伤。以上应用极限值标志了芯片可承受应力等级，但并不建议芯片在此极限条件或超出“推荐工作条件”下工作。芯片长时间处于最大额定工作条件，会影响芯片的可靠性。


    标识信息



    引脚排布

    附注：出厂默认值注意事项

    引脚说明

    Pin Num

    Pin Name

    I/O

    Description

    1

    ENA

    I

    使能信号输入

    2

    GND

    G

    芯片地

    3

    VCC

    I/O

    自举电容充电端

    4

    VFB

    I

    输出电压反馈

    5

    DRAIN

    O

    内部开关漏极

    6

    SW

    O

    内部开关源极

    7

    VB

    I/O

    自举电压端

    8

    VIN

    P

    芯片电压输入

    底部裸露焊盘

    O

    内部开关漏极

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